1.项目研究背景 电子电力器件广泛用于社会工业的各个领域，传统的功率器件如功率MOSFET，IGBT等基于硅基材料制作，材料的固有特性使器件性能很难进一步提高，SiC材料能带间隙是Si材料的3倍，临界击穿场强是Si材料的15倍，热导率是其3倍，SiC材料的这些特性使其很适合用于设计制作高压，大功率的功率器件，目前国外1200V/1700V SiC MOSFET已经比较成熟，国内相对落后。 荣湃半导体的数字隔离器器，隔离驱动器等IC产品信号链的下游是IGBT，SiC MOSFET等功率器件，电路技术相对成熟，对高压，大功率的SiC MOSFET具有很强的市场需求。  2. 已具备的研究基础 2.1 实验室平台可满足常规电学特性测试外，可以实现20kV DC/AC/Surge等高压测试，软件方面，具备TCAD，EM，IC设计等响应仿真软件。 2.2 技术团队工艺专家精通半导体制作工艺流程，具有丰富地与代工厂协同开发工艺的经验，在器件耐压理论方面，公司具备较深的技术积累和实际测试经验。 2.3 合作的代工厂，封测厂具备器件制作并测试验证的条件。 3. 项目拟解决的关键问题 3.1 SiC MOSFET器件关键特性研究。 3.2 器件结构优化设计与制作，发表两篇以上相关专利。 4. 项目具体目标 设计并制作验证两款SiC MOSFET，分别针对大功率和高压小功率市场应用，关键参数如下：    4.1 SiC MOSFET设计制作Ⅰ    1）最大漏源电压1200V；2）关断漏源电流<200uA；  3）最大DC漏源电流>50A；4）导通阻抗<50m ohm。    4.2 SiC MOSFET设计制作Ⅱ    1）最大漏源电压1200V/1700V；2）关断漏源电流<50uA；    3）最大DC漏源电流>4A；4）导通阻抗<1 ohm。