工作职责： -根据公司的新品开发计划，高功率压 MOSFET、超结 MOSFET、低压沟槽 MOSFET 和 SGT 器件的设计开发; - 制定并负责实施相关新品开发计划，保证计划的顺利完成; - 负责相关产品的设计文件、工艺文件和封装测试文件的拟制; - 与市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，对反馈信息进行技术论证，提出改进方案确保及时解决问题; - 完成上级布置的其它任务。 职位要求： - 掌握 SGT MOS、Cool MOS器件的原理和设计方法； - 掌握半导体器件的制造过程和方法； - 掌握主流 TCAD 仿真软件的使用； - 掌握 Cadence 版图设计软件的使用； - 掌握 QFD、DOE、SPC、8D、FMEA、FA 相关知识及应用； - 掌握功率 MOSFET 电气参数的测试方法； - 微电子及相关专业本科或硕士以上学历，3年以上功率器件产品设计开发经验。